Статьи автора

АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК AlMoO С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТРИХЛОРИДА АЛЮМИНИЯ ИЛИ ТРИМЕТИЛАЛЮМИНИЯ И КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ВОССТАНОВЛЕНИЯ И КОНВЕРСИИ

Номер выпуска 10 от 01.10.2025

Проведен сравнительный анализ поверхностных процессов атомно-словеого осаждения (АСО) AlMoO с использованием воды, диоксидихлорида молибдена (MoOCl), триметилалюминия (Al(CH), ТМА) или хлорида алюминия (AlCl). Изучено влияние природы алюминиевого прекурсора на состав и степень окисления молибдена в пленках. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что содержание молибдена в полученных пленках ниже содержания алюминия. Также в пленках обнаружен молибден со степенями окисления Mo, Mo и Mo; при этом соотношение атомной концентрации Mo к восстановленным формам в случае процесса с ТМА составило 0.76 : 1, а в случае с AlCl — 6.3 : 1. Замена ТМА на AlCl3 в процессе АСО AlMoO снизило количество восстановленного Mo в пленках, а также общее содержание молибдена. Для оценки термодинамических параметров предложенных реакций для процессов АСО с использованием AlCl и ТМА выполнены квантово-химические расчеты методом DFT, на основе полученных данных предложено объяснение наблюдаемым различиям в пленках.

75 0

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ DFT АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ АМОРФНОГО ОКСИДА ЦИНКА АЦЕТИЛАЦЕТОНОМ И ЕГО ФТОРСОДЕРЖАЩИМИ ПРОИЗВОДНЫМИ

Номер выпуска 10 от 01.10.2025

С использованием программного обеспечения ORCA 6.0.1 и LAMMPS проведено комбинированное квантово-химическое и молекулярно-динамическое исследование атомно-слоевого травления аморфного оксида цинка β-дикетонатами: ацетилацетоном, 1,1,1-трифторацетилацетоном и 1,1,1,5,5,5-гексафторацетилацетоном. Методом DFT на уровне теории PBE-D3BJ/def2-SVP изучены энергетические параметры десорбции-десорбции и количественно оценено индуцированное поверхностное напряжение. Установлено, что ацетилацетон вызывает максимальное поверхностное напряжение 1.62 эВ и обеспечивает спонтанное травление благодаря низкой энергии десорбции (2.10 эВ). Фторированные производные демонстрируют самоограничивающийся характер взаимодействия: трифторацетилацетон при энергии десорбции 3.27 эВ индуцирует напряжение 1.05 эВ, а гексафторацетилацетон при энергии десорбции 2.53 эВ проявляет наименьшее воздействие на структуру поверхности (1.01 эВ). Полученные данные позволяют рассматривать 1,1,1-трифторацетилацетон как оптимальный прекурсор для контролируемого атомно-слоевого травления оксида цинка.

59 0