By this author

Synthesis and thermal transformations of tungstenphosphatemetallate complexes with hexamethylenetetramine

Issue number 7 from 15.07.2024

Представлены результаты по синтезу и идентификации комплексных соединений гексаметилентетрамина (CH₂)₆N₄ с вольфрамофосфатометаллатами. Методами дифференциальной сканирующей калориметрии, инфракрасной спектроскопии и рентгенофазового анализа исследованы процессы и кристаллические продукты термического разложения соединений с общей формулой: Cat₅[PW₁₁O₃₉Z(ГМТА)] · nH₂O, Cat = Na⁺, NH₄⁺; Z = Co²⁺, Ni²⁺, Zn²⁺; n = 10–13 и установлены схемы их термолиза. Показано, что аммонийные соли при термолизе образуют фазы состава ZO ∙ 0.5P₂O₅ ∙ 11WO₃ или Z_6/73P_6/73W_66/73O₃ со структурой фосфорвольфрамовой бронзы. Продуктами разложения натриевых солей является смесь фаз со структурами вольфраматов натрия Na₂W₂O₇ и Na₂W₄O₁₃. Результаты исследований могут быть использованы для прогноза термических превращений и состава продуктов термолиза аналогичных комплексов ГМТА и вольфрамофосфатометаллатов других 3d-элементов.

66 0

POLYOXOTUNGSTENPHOSPHATE COMPLEXES WITH HEXAMETHYLENETETRAMINE AND COPPER IONS

Issue number 8 from 31.12.2025

Синтезированы ранее не описанные в литературе комплексы вольфрамофосфатометаллатов с ионами меди Cu и гексаметилентетрамином состава Rb[PWOCu(HO)] · 9HO (I), Rb[PWOCu(CHN)] · 10HO (II), Rb[PWOZnCu(HO)] · 9HO (III) и Rb[PWOZnCu(CHN)] · 10HO (IV). Результаты химического анализа, ИК- и электронной спектроскопии позволяют отнести полученные соединения к вольфрамофосфатометаллатам с лакунарной структурой аниона Кеггина, в которых один из атомов вольфрама замещен на ион 3d-элемента (меди или цинка). При этом имеет место сдвиг максимума поглощения ионов меди в длинноволновую область спектра при переходе от [Cu(HO)] к [PWOCu(HO)], [PWOZnCu(HO)], [PWOCu(ГМТА)] и [PWOZnCu(ГМТА)], что является результатом изменения величины силы поля лигандов во внутренней сфере комплексов. Температурные зависимости ЭПР-спектров показывают перераспределение интенсивностей линий, обусловленное многоминимумным потенциалом кристаллического поля в месте нахождения ионов Cu. Высота потенциального барьера кристаллического поля для соединений III и IV составляет 27 и 13 см соответственно и зависит от силы поля лигандов ближайшего окружения ионов Cu в структуре аниона.

51 0