Статьи автора

Уточнение фазовой диаграммы системы MnSe–Ga₂Se₃

Номер выпуска 1 от 15.01.2024

Методами дифференциального термического и рентгенофазового анализа повторно изучена система MnSe–Ga₂Se₃ и построена ее фазовая диаграмма, которая несколько отличается от представленной в литературе. Установлено, что система характеризуется образованием промежуточной фазы (ã) с широкой (47–61 мол. % Ga₂Se₃) областью гомогенности. На основе Ga₂Se₃ также обнаружена широкая область (~30 мол. %) твердых растворов. Показано, что ã-фаза претерпевает полиморфное превращение ã′ ↔ ã при 1183–1193 K для различных составов. Высокотемпературная ã′-фаза имеет точку минимума плавления с координатами 1205 K и 55 мол. % Ga₂Se₃ и находится в перитектическом равновесии с твердыми растворами на основе обоих исходных бинарных соединений. С учетом порошковых дифракционных данных определены параметры тетрагональной решетки ã-фазы, содержащей 50 и 60 мол. % Ga₂Se₃. Не подтверждено указанное ранее тройное соединение Mn₂Ga₂Se₅. Проведен сравнительный анализ полученных результатов с литературными данными.

42 0