Методами оптической и сканирующей электронной микроскопии исследован сплав InSb + 1 ат. % Ni + 1 ат. % Mn. Установлено наличие фазы Гейслера на основе NiMnSb в виде микровключений на дислокациях InSb. Химический состав микровключений на скоплении дислокаций лежит в интервале от Ni1.1MnSb до Ni1.2MnSb, а на отдельных дислокациях приближается по составу к Ni1.1MnSb. Однако возникающие в процессе синтеза объемные структурные дефекты в виде микропор и упругие деформации вокруг них являются основными проблемами при создании когерентного материала с беспрепятственным движением поляризованных электронов по всему объему.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации