Статьи автора

Взаимодействие SiC с оксидной композицией Al₂O₃−(<i>t</i> + <i>m</i>)ZrO₂(Y₂O₃)

Номер выпуска 8 от 17.09.2025

Методом контактного взаимодействия в интервале температур 1000–1860°С изучена специфика взаимодействия SiC с оксидной композицией Al₂O₃−(t + m)ZrO₂(Y₂O₃). В ходе эксперимента по данным фоторегистрации в режиме реального времени изменения размеров и формы образца Al₂O₃−(t + m)ZrO₂(Y₂O₃) на керамической подложке SiC установлено, что в интервале температур 1720–1860°С происходит взаимодействие композиции Al₂O₃−(t + m)ZrO₂(Y₂O₃) с подложкой из карбида кремния, которое сопровождается ее расплавлением и проникновением (пропиткой) в подложку. Выполнен рентгенофазовый анализ области взаимодействия оксидной композиции с SiC непосредственно на подложке и поверхностного слоя глубиной <1 мм (отделенного скалыванием). Установлено, что в области контакта помимо фаз 6H-SiC, Si и Al₂O₃, t-ZrO₂, являющихся соответственно исходными компонентами подложки и оксидной композиции, образуются ZrС, Al₂Y₄O₉, Al_3.21Si_0.47 вследствие окислительно-восстановительных реакций с участием оксидного расплава.

10 0