By this author

ATOMIC LAYER DEPOSITION AlMoO OF FILMS USING ALUMINUM TRICHLORIDE OR TRIMETHYLALUMINIUM AND QUANTUM CHEMICAL CALCULATIONS OF GROWTH, REDUCTION AND CONVERSION PROCESSES

Issue number 10 from 01.10.2025

Проведен сравнительный анализ поверхностных процессов атомно-словеого осаждения (АСО) AlMoO с использованием воды, диоксидихлорида молибдена (MoOCl), триметилалюминия (Al(CH), ТМА) или хлорида алюминия (AlCl). Изучено влияние природы алюминиевого прекурсора на состав и степень окисления молибдена в пленках. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что содержание молибдена в полученных пленках ниже содержания алюминия. Также в пленках обнаружен молибден со степенями окисления Mo, Mo и Mo; при этом соотношение атомной концентрации Mo к восстановленным формам в случае процесса с ТМА составило 0.76 : 1, а в случае с AlCl — 6.3 : 1. Замена ТМА на AlCl3 в процессе АСО AlMoO снизило количество восстановленного Mo в пленках, а также общее содержание молибдена. Для оценки термодинамических параметров предложенных реакций для процессов АСО с использованием AlCl и ТМА выполнены квантово-химические расчеты методом DFT, на основе полученных данных предложено объяснение наблюдаемым различиям в пленках.

77 0