By this author

ATOMIC LAYER DEPOSITION AlMoO OF FILMS USING ALUMINUM TRICHLORIDE OR TRIMETHYLALUMINIUM AND QUANTUM CHEMICAL CALCULATIONS OF GROWTH, REDUCTION AND CONVERSION PROCESSES

Issue number 10 from 01.10.2025

Проведен сравнительный анализ поверхностных процессов атомно-словеого осаждения (АСО) AlMoO с использованием воды, диоксидихлорида молибдена (MoOCl), триметилалюминия (Al(CH), ТМА) или хлорида алюминия (AlCl). Изучено влияние природы алюминиевого прекурсора на состав и степень окисления молибдена в пленках. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что содержание молибдена в полученных пленках ниже содержания алюминия. Также в пленках обнаружен молибден со степенями окисления Mo, Mo и Mo; при этом соотношение атомной концентрации Mo к восстановленным формам в случае процесса с ТМА составило 0.76 : 1, а в случае с AlCl — 6.3 : 1. Замена ТМА на AlCl3 в процессе АСО AlMoO снизило количество восстановленного Mo в пленках, а также общее содержание молибдена. Для оценки термодинамических параметров предложенных реакций для процессов АСО с использованием AlCl и ТМА выполнены квантово-химические расчеты методом DFT, на основе полученных данных предложено объяснение наблюдаемым различиям в пленках.

75 0

DFT STUDY OF ATOMIC LAYER ETCHING OF AMORPHOUS ZINC OXIDE USING ACETYLACETONE AND ITS FLUORINATED DERIVATIVES

Issue number 10 from 01.10.2025

С использованием программного обеспечения ORCA 6.0.1 и LAMMPS проведено комбинированное квантово-химическое и молекулярно-динамическое исследование атомно-слоевого травления аморфного оксида цинка β-дикетонатами: ацетилацетоном, 1,1,1-трифторацетилацетоном и 1,1,1,5,5,5-гексафторацетилацетоном. Методом DFT на уровне теории PBE-D3BJ/def2-SVP изучены энергетические параметры десорбции-десорбции и количественно оценено индуцированное поверхностное напряжение. Установлено, что ацетилацетон вызывает максимальное поверхностное напряжение 1.62 эВ и обеспечивает спонтанное травление благодаря низкой энергии десорбции (2.10 эВ). Фторированные производные демонстрируют самоограничивающийся характер взаимодействия: трифторацетилацетон при энергии десорбции 3.27 эВ индуцирует напряжение 1.05 эВ, а гексафторацетилацетон при энергии десорбции 2.53 эВ проявляет наименьшее воздействие на структуру поверхности (1.01 эВ). Полученные данные позволяют рассматривать 1,1,1-трифторацетилацетон как оптимальный прекурсор для контролируемого атомно-слоевого травления оксида цинка.

59 0