- Код статьи
- 10.31857/S0044457X22601213-1
- DOI
- 10.31857/S0044457X22601213
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 68 / Номер выпуска 1
- Страницы
- 26-33
- Аннотация
- Химическим осаждением получены тонкие пленки твердых растворов замещения CdxPb1 – xS (0 ≤ x ≤ 0.094) кубической структуры B1 (пр. гр. Fm\(\overline 3 m\)) и исследованы с помощью рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии, элементного EDX-анализа и КР-спектроскопии. Показано, что при достижении некоторой критической концентрации сульфата кадмия в реакционной смеси (0.1 моль/л) пленки формируются с участием двух самостоятельных фаз: твердого раствора замещения CdxPb1 – xS и гексагонального сульфида кадмия CdyS со структурой В4 (пр. гр. P63mc). Предложенный метод и условия синтеза эффективны для получения гетероструктур в системе CdS–PbS при осаждении в одну стадию.
- Ключевые слова
- твердые растворы замещения Cd<sub><i>x</i></sub>Pb<sub>1 –</sub> <sub><i>x</i></sub>S сульфид кадмия кристаллическая структура топология КР-спектроскопия
- Дата публикации
- 17.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 3
Библиография
- 1. Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Порхачев М.Ю. и др. // Пожаровзрывобезопасность. 2013. Т. 24. № 9. С. 67.
- 2. Pentia E., Draghici V., Sarau G. et al. // J. Electrochem. Soc. 2004. V. 151. № 11. P. G729. https://doi.org/10.1149/1.1800673
- 3. Thangavel S., Ganesan S., Saravanan K. // Thin Solid Films. 2012. V. 520. № 16. P. 5206. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.114
- 4. Touati B., Gassoumi A., Guasch C. et al. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2017. V. 67. P. 20. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.05.004
- 5. Ounissi A., Ouddai N., Achour S. // EPJ. Appl. Phys. 2007. V. 37. № 3. P. 241. https://doi.org/10.1051/epjap:2007034
- 6. Suryavanshi K.E., Dhake R.B., Patil A.M. et al. // Optik. 2020. P. 165008. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2020.165008
- 7. Sharma S., Venkata D.R.A., Jayarambabu N. et al. // Mater. Today: Proceedings. 2019. V. 26. № 1. P. 162. https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.10.155
- 8. Bezdetnova A.E., Markov V.F., Maskaeva L.N. et al. // J. Anal. Chem. 2019. V. 74. № 12. P. 1256. [Бездетнова А.Е., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. и др. // Журн. аналит. химии. 2019. Т. 74. № 12. С. 953.] https://doi.org/10.1134/S1061934819120025
- 9. Maskaeva L.N., Pozdin A.V., Markov V.F. et al. // Semiconductors. 2020. V. 54. P. 1567. [Маскаева Л.Н., Поздин А.В., Марков В.Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 12. С. 1309.] https://doi.org/10.1134/S1063782620120209
- 10. Kutyavina A.D., Maskaeva L.N., Voronin V.I. et al. // CTA. V. 8. № 2. P. 20218210. https://doi.org/10.15826/chimtech.2021.8.2.10
- 11. Шелимова Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука, 1991. 256 с.
- 12. Maskaeva L.N., Kutyavina A.D., Markov V.F. et al. // Russ. J. Gen. Chem. Т. 88. № 2. P. 295. [Маскаева Л.Н., Кутявина А.Д., Марков В.Ф. и др. // Журн. общ. химии. 2018. Т. 88. № 2. С. 319.] https://doi.org/10.1134/S1070363218020172
- 13. Марков В.Ф., Маскаева Л.Н., Иванов П.Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. Екатеринбург: УрО РАН, 2006. 218 с.
- 14. Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Ваганова И.В. и др. // Бутлеровские сообщения. 2017. Т. 49. № 3. С. 50.
- 15. Rabinovich E., Wachtel E., Hodes G. // Thin Solid Films. 2008. V. 517. № 2. P. 737. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.162
- 16. Rietveld H.M. // J. Appl. Crystallogr. 1969. V. 2. № 2. P. 65. https://doi.org/10.1107/S0021889869006558
- 17. Bush D.L., Post J.E. // Rev. Miner. 1990. V. 20. P. 369. https://doi.org/10.1180/claymin.1990.025.4.12
- 18. Rodrigues–Carvajal J. // Physica B. 1993. V. 192. P. 55. https://doi.org/doi:10.1016/0921-4526 (93)90108-I
- 19. Williamson G.K., Hall W.H. // Acta Metallurgica. 1953. V. 1. № 1. P. 22. https://doi.org/10.1016/0001-6160 (53)90006-6
- 20. Corll J.A. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 3032. https://doi.org/10.1063/1.1713151
- 21. Kobayashi T., Susa K., Taniguchi S. // J. Phys. Chem. Solids. 1979. V. 40. P. 781. https://doi.org/10.1016/0022-3697 (79)90160-4
- 22. Susa K., Kobayashi T., Taniguchi S. // J. Solid State Chem. 1980. V. 33. № 2. P. 197. https://doi.org/10.1016/0022-4596 (80)90120-6
- 23. Guglielmi M., Martucci A., Fick J. et al. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 1998. V. 11. № 3. P. 229. https://doi.org/10.1023/A:1008650027769
- 24. Forostyanaya N.A., Maskaeva L.N., Markov V.F. // Russ. J. Gen. Chem. 2015. V. 85. № 11. P. 2513. [Форостяная Н.А., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф. // Журн. общ. химии. 2015. Т. 85. № 11. С. 1769.] https://doi.org/10.1134/S1070363215110031
- 25. Kul M. // Anadolu Univ. J. Sci. Technol. 2019. V. 7. P. 46. https://doi.org/10.20290/aubtdb.465445
- 26. Abu-Hariri A., Budniak A.K., Horani F. et al. // RSC Advances. 2021. V. 11. P. 30560. https://doi.org/10.1039/D1RA04402H
- 27. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Cantarero A. et al. // Mater. Sci. Eng. A. 2007. V. 462. № 1–2. P. 422. https://doi.org/10.1016/j.msea.2006.05.175
- 28. Perez R.G., Tellez G.H., Rosas U.P. et al. // JMSE-A. 2013. № 1. P. 1. https://doi.org/10.17265/2161-6213/2013.01.001
- 29. Batonneau Y., Bremard C., Laureyns J. et al. // J. Raman Spectrosc. 2000. V. 31. № 12. P. 1113. https://doi.org/10.1002/1097-4555 (200012)31:123.0.CO;2-E
- 30. Abdi A., Titova L.V., Smith L.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 043118. https://doi.org/10.1063/1.2168507
- 31. Oladeji I.O., Chow L., Liu J.R. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 359. № 2. P. 154. https://doi.org/10.1016/S0040-6090 (99)00747-6
- 32. Milekhina A.G., Sveshnikova L.L., Repinsky S.M. et al. // Thin Solid Films. 2002. V. 422. № 1–2. P. 200. https://doi.org/10.1016/S0040-6090 (02)00991-4
- 33. Maskaeva L.N., Markov V.F., Voronin V.I. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. № 2. P. 325. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.02.035
